STB70NF3LL |
RFQ for STB70NF3LL Required Field |
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| Technical/Catalog Information | STB70NF3LLT4 |
| Vendor | STMicroelectronics |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 70A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 35A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1650pF @ 25V |
| Power - Max | 100W |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
| Package / Case | D²Pak, SMD-220, TO-263 (2 leads + tab) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drawing Number | * |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | STB70NF3LLT4 STB70NF3LLT4 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| STB70NF3LL | - | D2PAK | `06+(pb-free) |
This application specific Power Mosfet is the third generation of STMicroelectronics unique "Single Feature Size]" strip-based process. The resulting transistor shows the best trade-off between on-resistance and gate charge. When used as high and low side in buck regulators, it gives the best performance in terms of both conductionand switching losses. This is extremely important for motherboards where fast switching and high efficiency are of paramount importance.
Typical Application |
Features |
| · SPECIFICALLYDESIGNED AND OPTIMISEDFOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC CONVERTERS | · TYPICAL RDS(on) = 0.01 W @4.5V· OPTIMAL RDS(on)x Qg TRADE-OFF@ 4.5V· CONDUCTION LOSSESREDUCED· SWITCHING LOSSESREDUCED |
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Symbol |
Parameter |
Value |
Uni t | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VDS |
Drain-source Voltage (VGS = 0) |
30 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VDGR |
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kW) |
30 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VGS |
Gate-source Voltage |
± 15 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ID |
Drain Current (continuous) at Tc = 25 |
70 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ID |
Drain Current (continuous) at Tc = 100 |
50 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IDM(•) |
Drain Current (pulsed) |
280 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Ptot |
Total Dissipation at Tc = 25 |
100 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Derating Factor |
0.67 |
W/ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Tstg |
Storage Temperature |
-65 to 150 |
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